全自動(dòng)帶顯微鏡多點(diǎn)測(cè)量膜厚儀

簡(jiǎn)要描述：硬化涂層膜厚儀是一款快速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案，要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米，如微圖案表面，粗糙表面及許多其他表面。

產(chǎn)品型號(hào)：FR-Mic
廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商
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更新時(shí)間：2024-03-19
訪(fǎng) 問(wèn) 量： 9871

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詳細(xì)介紹

硬化涂層膜厚儀是一款快速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案，要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米，如微圖案表面，粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺(tái)計(jì)算機(jī)控制的XY工作臺(tái)，使其快速、方便和準(zhǔn)確地描繪樣品的厚度和光學(xué)特性圖。品牌屬于Thetametrisis。

Thetametrisis利用 FR-Mic，通過(guò)紫外/ 可見(jiàn)/ 近紅外可輕易對(duì)局部區(qū)域薄膜厚度，厚度映射，光學(xué)常數(shù)，反射率，折射率及消光系數(shù)進(jìn)行測(cè)量。

【相關(guān)應(yīng)用】

1.高校 & 研究所實(shí)驗(yàn)室

2.半導(dǎo)體制造

3.(氧化物/氮化物，硅膜, 光刻膠及其他半導(dǎo)體薄膜.)

4.MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)

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10.生物醫(yī)學(xué)(聚對(duì)二甲苯, 生物膜/氣泡壁厚度.)

11.還有許多…

【Thetametrisis膜厚儀特點(diǎn)】

1、實(shí)時(shí)光譜測(cè)量

2、薄膜厚度，光學(xué)特性，非均勻性測(cè)量，厚度映射

3、使用集成的，USB連接高品質(zhì)彩色攝像機(jī)進(jìn)行成像

【Thetametrisis膜厚儀產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】

1、單擊即可分析 (無(wú)需初始預(yù)測(cè))

2、動(dòng)態(tài)測(cè)量

3、包含光學(xué)參數(shù) (n & k, color)

4、可保存測(cè)量演示視頻錄像

5、超過(guò) 600 種不同材料o 多個(gè)離線(xiàn)分析配套裝置o 免費(fèi)操作軟件升級(jí)

【技術(shù)參數(shù)】

型號(hào)		UV/VIS	UV/NIR-EXT	UV/NIR-HR	DUV/NIR	VIS/NIR	DVIS/NIR	NIR
光譜波長(zhǎng)范圍(nm)		200–850	200–1020	200-1100	200–1700	370–1020	370–1700	900–1700
光譜儀像素		3648	3648	3648	3648&512	3648	3648&512	512
膜厚測(cè)量范圍	5X-VIS/NIR	15nm–60μm	15nm–70μm	15nm–90μm	15nm–150μm	15nm–90μm	15nm–150μm	100nm–150μm
	10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR*	4nm–50μm	4nm–60μm	4nm–80μm	4nm–130μm	15nm–80μm	15nm–130μm	100nm–130μm
	15X-UV/NIR*	4nm–40μm	4nm–50μm	4nm–50μm	4nm–120μm	–	–	–
	20X-VIS/NIR 20X-UV/NIR*	4nm–25μm	4nm–30μm	4nm–30μm	4nm–50μm	15nm–30μm	15nm–50μm	100nm–50μm
	40X-UV/NIR*	4nm–4μm	4nm–4μm	4nm–5μm	4nm–6μm	–	–	–
	50X-VIS/NIR	–	–	–	–	15nm–5μm	15nm–5μm	100nm–5μm
測(cè)量n&k蕞小厚度		50nm	50nm	50nm	50nm	100nm	100nm	500nm
光源		氘燈&鹵素?zé)?internal)				鹵素?zé)?internal)
材料數(shù)據(jù)庫(kù)		>600不同材料

*測(cè)量面積(收集反射或透射信號(hào)的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關(guān)。

物鏡	光斑尺寸(μm)
	500μm孔徑	250μm孔徑	100μm孔徑
5x	100μm	50μm	20μm
10x	50μm	25μm	10μm
20x	25μm	17μm	5μm
50x	10μm	5μm	2μm

【工作原理】

*規(guī)格如有更改，恕不另行通知, 測(cè)量結(jié)果與校準(zhǔn)的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續(xù) 15 天測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)方差平均值。樣品：1um SiO2 on Si., 100 次厚度測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)方差，樣品：1um SiO2 on Si.

*超過(guò) 15 天的標(biāo)準(zhǔn)偏差日平均值樣品：1um SiO2 on Si。

以上資料來(lái)自Thetametrisis，如果有需要更加詳細(xì)的信息，請(qǐng)聯(lián)系我們獲取。

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