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簡要描述:研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)中的單晶圓光刻膠加工。EVG101光刻膠勻膠機(jī)在單室設(shè)計(jì)上可以滿足研發(fā)工作,與EVG的自動(dòng)化系統(tǒng)*兼容。EVG101支持大300 mm的晶圓,可配置為旋涂或噴涂和顯影。
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光刻膠的各種物性參數(shù)中,粘度值也是一個(gè)非常重要的參數(shù),它對指導(dǎo)光刻膠的涂膠至為重要,但是我們在閱讀光刻膠的說明文檔中往往會(huì)發(fā)現(xiàn)不同廠家使用不同的粘度單位, 比如cP,mPa·S,cst, 這對我們用戶來說對比不同廠家的光刻膠的粘度性質(zhì)造成了困擾。
光刻膠是一種對光敏感的混合液體,是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料,屬于半導(dǎo)體八大核心材料之一,是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。
一、EVG101光刻膠測量簡介
研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)中的單晶圓光刻膠加工。
EVG101光刻膠處理系統(tǒng)在單室設(shè)計(jì)上可以滿足研發(fā)工作,與EVG的自動(dòng)化系統(tǒng)*兼容。EVG101支持zui大300 mm的晶圓,可配置為旋涂或噴涂和顯影。使用EVG先進(jìn)的OmniSpray涂層技術(shù),在3D結(jié)構(gòu)晶圓上實(shí)現(xiàn)光刻膠或聚合物的共形層,用于互連技術(shù)。這確保了高粘度光致光刻膠或聚合物的低材料消耗,同時(shí)改善了均勻性并防止了擴(kuò)散。
二、EVG101光刻膠測量技術(shù)參數(shù):
晶圓尺寸:高達(dá)300mm(12寸)
支持模式:旋涂/ OmniSpray®/生長
晶圓支撐模式:單臂/雙EE/邊緣/翻動(dòng)
分配模式:
- 各種分配泵,可覆蓋高達(dá)52000cP的各種粘度
- 恒壓分配系統(tǒng)
- EBR / BSR /預(yù)濕/碗洗/液體灌注
三、特征:
晶圓尺寸可達(dá)300 mm
自動(dòng)旋涂或噴涂或使用手動(dòng)晶圓裝載/卸載進(jìn)行顯影
利用從研究到生產(chǎn)的快速簡便的過程轉(zhuǎn)換
成熟的模塊化設(shè)計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)化軟件
注射器分配系統(tǒng),用于利用小的光刻膠體積,包括高粘度光刻膠
占地面積小,同時(shí)保持高水平的個(gè)人和過程安全性
多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言)
選項(xiàng):
- 采用OmniSpray®涂層技術(shù)均勻涂覆晶圓的高表面形貌
- 用于后續(xù)鍵合工藝的蠟和環(huán)氧樹脂涂層
- 旋涂玻璃(SOG)涂層
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